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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI538是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用MOSFET（金属氧化物）技术，核心卖点在于其优异的电流处理能力与极低的导通损耗。
其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度25°C下达70A的连续漏极电流（Id）。尤为突出的是，其在10V驱动电压、20A电流条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.1毫欧，配合42nC的最大栅极电荷（Qg），共同确保了高效率的电源转换与快速的开关性能。器件采用TO-251A表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的应用环境。
制造商产品型号：AOI538制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：AlphaMOS零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：34A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.1 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2160pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），24W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-251AAOI538，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI538
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI538的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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