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AOI538是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用MOSFET（金属氧化物）技术，核心卖点在于其优异的电流处理能力与极低的导通损耗。

其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度25°C下达70A的连续漏极电流（Id）。尤为突出的是，其在10V驱动电压、20A电流条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.1毫欧，配合42nC的最大栅极电荷（Qg），共同确保了高效率的电源转换与快速的开关性能。器件采用TO-251A表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的应用环境。

• 型号:AOI538
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 34A/70A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI538，AOS产品一站式供应商。