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AON7200是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装，额定漏源电压为30V。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下典型值仅为8毫欧，配合高达40A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够显著降低功率应用中的传导损耗。

器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）低至20nC，输入电容（Ciss）最大值为1300pF，这有助于实现高速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为62W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。这些参数使其成为高效率电源转换和功率管理设计的理想选择。

• 型号:AON7200
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.8A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7200，AOS产品一站式供应商。