
我们为全球各个行业提供AOS AO9926BL_101及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO9926BL_101 是AOS公司推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的MOSFET,每个通道具备20V的漏源电压(Vdss)和7.6A的连续漏极电流(Id)处理能力,其核心优势在于极低的导通电阻(23mΩ @ 10V)与栅极电荷(12.5nC @ 10V),这共同实现了高效率与快速开关性能的平衡。
其低至1.1V的栅极阈值电压使其兼容3.3V/5V逻辑电平,便于直接由微控制器驱动,简化了系统设计。宽广的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)和2W的功耗能力确保了其在各种环境下的可靠性。这款器件是空间受限且要求高效率的电源管理、电机驱动和负载开关应用的理想选择。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







