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AONT21313C 是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用6-DFN（2x2）表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)能力，在10V Vgs驱动下导通电阻(Rds(on))低至32毫欧，有效降低了功率传导损耗。

该器件设计用于标准逻辑电平驱动，栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.3V，驱动电压范围覆盖4.5V至10V。其低栅极电荷(Qg，最大14.5nC)和优化的输入电容确保了快速的开关性能，适用于高效率的开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）为其在各类环境下的稳定运行提供了保障。

• 型号:AONT21313C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• AONT21313C，AOS产品一站式供应商。