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零件图片（仅供参考）
AONT21313C
规格参数

AONT21313C 是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用6-DFN（2x2）表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)能力，在10V Vgs驱动下导通电阻(Rds(on))低至32毫欧，有效降低了功率传导损耗。

该器件设计用于标准逻辑电平驱动，栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.3V，驱动电压范围覆盖4.5V至10V。其低栅极电荷(Qg，最大14.5nC)和优化的输入电容确保了快速的开关性能，适用于高效率的开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）为其在各类环境下的稳定运行提供了保障。

  • 制造商产品型号：AONT21313C
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：530pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DFN（2x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AONT21313C
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONT21313C的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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