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AOI4T60是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件核心特性包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），适用于高压离线式开关应用。

其技术优势体现在较低的导通电阻与栅极电荷。在10V Vgs条件下，Rds(on)最大值为2.1Ω @ 1A，Qg最大值为15nC，这有助于降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体效率。83W的最大功耗和宽达-50°C至150°C的工作结温范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:AOI4T60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4T60，AOS产品一站式供应商。