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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4T60是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件核心特性包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），适用于高压离线式开关应用。
其技术优势体现在较低的导通电阻与栅极电荷。在10V Vgs条件下，Rds(on)最大值为2.1Ω @ 1A，Qg最大值为15nC，这有助于降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体效率。83W的最大功耗和宽达-50°C至150°C的工作结温范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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