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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4498EL是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），能够在紧凑的封装内处理可观的功率。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs驱动下典型值仅为5.8毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）支持快速的开关速度，适用于高频开关电源和电机驱动等动态性能要求较高的场合。
基本参数：
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