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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6924是AOS公司推出的一款采用8-WDFN封装的双N沟道MOSFET阵列，构成半桥结构。其核心优势在于逻辑电平门控，可直接由低电压信号驱动，并具备极低的导通电阻（5.2mΩ @ 20A, 10V）和栅极电荷（21nC @ 10V），这共同实现了高效率与低功耗的平衡。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达28A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温条件下的稳定性和功率处理能力。其紧凑的表面贴装封装为高密度电源设计提供了理想的解决方案。
基本参数：
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