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零件图片(仅供参考)
AON2707
规格参数

AON2707是AOS推出的一款30V、4A的P沟道功率MOSFET,采用紧凑的6-DFN-EP(2x2)封装。其核心优势在于优异的导通特性,在10V栅极驱动下导通电阻低至117毫欧,能有效降低功率损耗,提升系统整体效率。

器件具备良好的易驱动性,其栅极阈值电压和驱动电压范围使其能直接由标准逻辑电平控制。此外,其集成的隔离式肖特基二极管增强了电路设计的灵活性并提供了保护功能。这些特性使其成为空间受限且对效率有要求的低压开关应用的理想选择,如便携式设备的负载开关与电源管理。

  • 制造商产品型号:AON2707
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):117 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):305pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-DFN-EP(2x2)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON2707
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON2707的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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