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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6601_001是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道互补型功率MOSFET阵列,采用节省空间的6引脚TSOP(SOT-457)表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET,其栅极阈值电压最大仅为1.5V,可直接由3.3V或5V微控制器驱动,简化了电路设计。
其关键电气参数包括30V的漏源电压耐受能力,以及低至60毫欧(N沟道@10V Vgs)的导通电阻,有助于最小化导通损耗。同时,12nC的低栅极电荷确保了快速的开关性能。该器件适用于DC-DC转换器、电源开关路径管理和电机控制等需要高效功率切换的应用场景。

基本参数:
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