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零件图片（仅供参考）
AOD66406
规格参数

AOD66406 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道 MOSFET，采用先进的 AlphaSGT 技术，封装于 TO-252（DPAK）。该器件核心优势在于其优异的开关性能与导通特性平衡，其漏源电压（Vdss）为 40V，连续漏极电流（Tc）高达 60A。

其关键电气参数定义了高性能表现：极低的导通电阻（Rds(On)）最大值为 6.1 毫欧 @ 10V，有效降低了传导损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为 30nC @ 10V，配合 2.5V 的栅极阈值电压，确保了快速开关能力，从而显著降低开关损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOD66406
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaSGT
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1480pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252（DPAK）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD66406
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD66406的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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