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零件图片（仅供参考）
AON6524_001
规格参数

AON6524_001 是AOS公司AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（VDSS）为30V，在10V栅极驱动下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至5毫欧（@20A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为23nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的优异平衡。

其高电流处理能力显著，壳温下连续漏极电流（ID）达68A。结合低至2.3V的栅极阈值电压（VGS(th)）和±20V的栅源电压耐受范围，该MOSFET为高效率DC-DC转换、同步整流等应用提供了可靠的解决方案，适用于计算、通信及工业电源等领域的电源管理设计。

  • 制造商产品型号：AON6524_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），68A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5.7W（Ta），35.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6524_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6524_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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