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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6144是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为2.4毫欧，这能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。
该器件额定电压为40V，在壳温条件下可连续通过100A电流，并具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至70nC @ 10V，有助于减少开关损耗并支持更高频率的操作。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围和78W（Tc）的功率耗散能力，AON6144为高密度电源转换和电机驱动应用提供了可靠且高性能的解决方案。
基本参数：
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