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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO8801A_001是AOS公司生产的一款采用8-TSSOP封装的表面贴装型双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET,专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。
其核心电气性能包括20V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)能力。关键优势在于其低导通电阻,典型值仅为42毫欧(@4.5A, 4.5V),以及较低的栅极电荷(11nC @ 4.5V),这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗,有助于提升整体系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,适用于各种环境条件。

基本参数:
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