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零件图片(仅供参考)
AO8801A_001
规格参数

AO8801A_001是AOS公司生产的一款采用8-TSSOP封装的表面贴装型双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET,专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。

其核心电气性能包括20V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)能力。关键优势在于其低导通电阻,典型值仅为42毫欧(@4.5A, 4.5V),以及较低的栅极电荷(11nC @ 4.5V),这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗,有助于提升整体系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,适用于各种环境条件。

  • 制造商产品型号:AO8801A_001
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 8TSSOP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):905pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AO8801A_001
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2P-CH 8TSSOP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO8801A_001的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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