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AON6246是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心电气特性包括60V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在壳温（Tc）下高达80A的连续漏极电流处理能力，展现出优异的功率承载潜力。

该器件的关键性能优势在于其极低的导通阻抗，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.4毫欧@20A，这能显著降低功率应用中的传导损耗。同时，其优化的开关特性，如最大40nC @ 10V的栅极电荷（Qg），支持快速开关频率，有助于提升整体电源转换效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

• 型号:AON6246
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A/80A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3420 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6246，AOS产品一站式供应商。