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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT12N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压、高效率的开关应用而设计。其核心优势在于500V的漏源耐压和12A的连续电流承载能力，为功率电路提供了坚实的电压和电流基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至520毫欧，能有效降低导通损耗，提升系统能效。同时，其优化的栅极电荷（37nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境下的稳定运行。
基本参数：
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