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AOU2N60A是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装，专为高压开关应用而设计。其核心特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源等应用提供了可靠的电压耐受性。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.7欧姆（@1A），有助于显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗，有利于提升整体系统效率。其工作结温范围覆盖-50°C至150°C，适用于要求严苛的环境。

• 型号:AOU2N60A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:295 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251-3
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• AOU2N60A，AOS产品一站式供应商。