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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU2N60A是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装，专为高压开关应用而设计。其核心特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源等应用提供了可靠的电压耐受性。
该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.7欧姆（@1A），有助于显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗，有利于提升整体系统效率。其工作结温范围覆盖-50°C至150°C，适用于要求严苛的环境。
基本参数：
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