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AO4807L_102是AOS公司生产的一款采用8-SOIC封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，每个通道在环境温度下可支持高达6A的连续漏极电流，漏源电压（Vdss）为30V，适用于中低压功率开关应用。

其核心优势在于优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为35毫欧，能有效降低导通损耗。同时，最大16nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统整体效率。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），采用表面贴装形式，适合高密度PCB布局。

• 型号:AO4807L_102
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4807L_102，AOS产品一站式供应商。