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AO4266是一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型8-SO封装。其核心电气参数包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，适用于中压大电流的开关应用。

该器件的关键优势在于其低导通阻抗与优异的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至15毫欧@10A，能显著降低导通损耗。同时，其总栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC @10V，有利于实现高效率和高频开关操作。其栅极阈值电压与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。

• 型号:AO4266
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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