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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD409是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心卖点在于60V的漏源电压（Vdss）和高达26A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。
该器件在性能优化上表现突出，其最大导通电阻（Rds(on)）低至40毫欧（@10V，20A），能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大54nC @10V）和栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了其与低压逻辑电路的兼容性，并能实现快速开关，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在各种环境条件下的稳定运行。
基本参数：
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