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零件图片（仅供参考）
AON6370
规格参数

AON6370是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高电流、高效率应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），在10V VGS和20A ID条件下最大值仅为7.2mΩ，能够显著降低传导损耗，提升系统能效。

该器件额定漏源电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）在壳温（Tc）下可达47A，具备强大的功率处理能力。同时，其低栅极电荷（Qg，最大值13nC @ 10V）和输入电容特性，支持快速开关操作，适用于高频开关电源和电机驱动等场景，有助于实现紧凑且高效的电源设计。

  • 制造商产品型号：AON6370
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），47A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：840pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），26W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6370
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 23A/47A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6370的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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