
我们为全球各个行业提供AOS AO3406L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO3406L是一款采用SOT-23-3封装的N沟道功率MOSFET,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心优势在于在紧凑的封装内实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡,其漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)额定值达3.6A。
该器件在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(On))最大值仅为50毫欧,能显著降低导通损耗。其低栅极电荷(Qg,最大值5nC @ 10V)和输入电容特性支持快速开关,适用于高频应用。其驱动逻辑兼容性强,栅极阈值电压(Vgs(th))最大2.5V,便于由标准逻辑电平直接驱动,简化了电路设计。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






