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AOSP21307是一款30V、14A的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和14A Id条件下，Rds(On)最大值仅为11.5毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为50nC @ 10V，有助于实现高效的高频开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±25V的栅源电压耐受能力，确保了在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性，适用于空间受限的电源管理和负载开关应用。

• 型号:AOSP21307
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1995 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AOSP21307，AOS产品一站式供应商。