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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7700 是一款采用 SRFET 技术的 N 沟道 MOSFET，采用 8-DFN（3x3）封装，集成了体肖特基二极管。其核心优势在于极低的导通电阻（8.5mΩ @ 10V, 12A）与优化的栅极电荷（33nC @ 4.5V），这共同实现了卓越的功率转换效率与快速的开关性能。
该器件额定漏源电压为 30V，在管壳温度（Tc）下可处理高达 40A 的连续电流，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）。这些参数使其成为空间受限、追求高功率密度与高效率应用的理想选择，例如同步整流和各类 DC-DC 转换拓扑。
基本参数：
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