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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR36368 是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心卖点在于极低的导通电阻（5mΩ @ 10V, 20A）与低栅极电荷（25nC @ 10V）的优化组合，这有效降低了传导与开关损耗，为高频率、高能效的电源设计方案提供了关键支持。
该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可支持高达32A的连续漏极电流，并具备4.5V的低栅极驱动电压能力，兼容标准逻辑电平。其紧凑的封装集成了裸露焊盘，显著提升了散热性能，适用于空间受限且对热管理要求严格的应用，如同步整流、DC-DC转换和电机驱动等。
基本参数：
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