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AON7784是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SRFET产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，额定电压30V，在壳温条件下可支持高达50A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。

具体而言，其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻典型值仅为3.5毫欧，最大栅极电荷为34nC。这一组合特性使其能够显著降低导通与开关损耗，提升整体电源转换效率。器件集成了体二极管，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率和高可靠性的同步整流及DC-DC转换应用。

• 型号:AON7784
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 31A/50A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4600 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AON7784，AOS产品一站式供应商。