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AOD609G 零件图片(仅供参考)

AOD609G
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AOD609G 规格参数

AOD609G是一款N沟道与P沟道互补的MOSFET阵列,采用TO-252-4封装。其核心卖点在于集成了性能匹配的40V/12A功率开关对,N沟道和P沟道在10V驱动下的导通电阻分别低至30毫欧和45毫欧,有效降低了导通损耗。

器件具备优异的开关特性,其低栅极电荷(最大13nC/21nC @10V)和输入电容有助于实现高速开关并减少开关损耗。宽工作结温范围(-55°C至175°C)与高达27W/30W的功耗能力,确保了其在严苛环境下的高可靠性。该产品为需要紧凑、高效互补对管设计的DC-DC转换、电机驱动等应用提供了理想的解决方案。

  • 型号:AOD609G
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V,45 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13nC @ 10V,21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):545pF @ 20V,890pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2W(Ta),27W(Tc),2W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
  • 供应商器件封装:TO-252-4L
  • AOD609G,AOS产品一站式供应商。
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AOD609G 基本参数:

  • 电子零件型号:AOD609G
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询AOD609G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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