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零件图片（仅供参考）
AOD609G
规格参数

AOD609G是一款N沟道与P沟道互补的MOSFET阵列，采用TO-252-4封装。其核心卖点在于集成了性能匹配的40V/12A功率开关对，N沟道和P沟道在10V驱动下的导通电阻分别低至30毫欧和45毫欧，有效降低了导通损耗。

器件具备优异的开关特性，其低栅极电荷（最大13nC/21nC @10V）和输入电容有助于实现高速开关并减少开关损耗。宽工作结温范围（-55°C至175°C）与高达27W/30W的功耗能力，确保了其在严苛环境下的高可靠性。该产品为需要紧凑、高效互补对管设计的DC-DC转换、电机驱动等应用提供了理想的解决方案。

  • 制造商产品型号：AOD609G
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH TO252-4
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 和 P 沟道互补型
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC，21nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：545pF，890pF @ 20V
  • 功率-最大值：2W（Ta），27W（Tc），2W（Ta），30W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD609G
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N/P-CH TO252-4
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOD609G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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