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AONS36346是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力，在10V Vgs下Rds(On)低至5.5毫欧，连续漏极电流在Tc条件下高达60A，能显著降低功率损耗并提升系统效率。

该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷仅为20nC，栅极阈值电压低至2.1V，支持快速开关并减少开关损耗，适用于高频操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，Vdss为30V，为稳健的电源转换和电机驱动应用提供了可靠保障。

• 型号:AONS36346
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 26.5A/60A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26.5A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS36346，AOS产品一站式供应商。