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零件图片（仅供参考）
AONS36346
规格参数

AONS36346是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力，在10V Vgs下Rds(On)低至5.5毫欧，连续漏极电流在Tc条件下高达60A，能显著降低功率损耗并提升系统效率。

该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷仅为20nC，栅极阈值电压低至2.1V，支持快速开关并减少开关损耗，适用于高频操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，Vdss为30V，为稳健的电源转换和电机驱动应用提供了可靠保障。

  • 制造商产品型号：AONS36346
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 26.5A/60A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：26.5A（Ta），60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），31W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AONS36346
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 26.5A/60A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONS36346的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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