AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF2606是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化，具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，以及极低的导通电阻（Rds(on)典型值为6.5mΩ @ 10V, 20A），能有效降低导通损耗。
该器件在壳温（Tc）条件下可支持高达51A的连续漏极电流，并拥有高达33.3W的功率耗散能力，结合其低栅极电荷（Qg最大75nC）特性，确保了快速开关性能与良好的热管理。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境要求，适用于DC-DC转换、电机驱动等中压、中高电流应用场景。
基本参数：
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