AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6403是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。该器件设计用于中低电压环境，其核心规格包括30V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），为负载切换和电源管理提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通性能与开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至35毫欧（最大值），能有效降低功率损耗。同时，最大18.5nC的栅极电荷（Qg）和920pF的输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应，有助于提升整体系统效率。器件支持4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，兼容性良好，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业与消费类应用场景。
基本参数：
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