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零件图片（仅供参考）
AON6368
规格参数

AON6368是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能电源转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（6.1毫欧 @10V, 20A）和极小的栅极电荷（13nC @10V），这共同确保了器件在导通和开关过程中损耗的最小化。

该器件额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续承载25A电流，峰值电流能力更强。其宽泛的驱动电压（4.5V-10V）和-55°C至150°C的工作结温范围，使其能够灵活适配多种控制逻辑并应对苛刻的工作环境。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高端负载开关等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON6368
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），52A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），27W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6368
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6368的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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