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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD208是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能，漏源电压（Vdss）为30V，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.4毫欧，有效降低了功率损耗。
该器件具备强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达54A。同时，其栅极电荷（Qg）典型值仅为35nC，有助于实现高效率的高频开关操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和良好的封装散热特性，确保了其在各种应用环境下的可靠性。
制造商产品型号：AOD208制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2210pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD208，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD208
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD208的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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