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AOD208是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能，漏源电压（Vdss）为30V，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.4毫欧，有效降低了功率损耗。

该器件具备强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达54A。同时，其栅极电荷（Qg）典型值仅为35nC，有助于实现高效率的高频开关操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和良好的封装散热特性，确保了其在各种应用环境下的可靠性。

• 型号:AOD208
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2210 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD208，AOS产品一站式供应商。