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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF3N50是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id),适用于中高压、中功率的开关应用。
该器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻(最大值3欧姆 @ 1.5A),有助于降低导通损耗。其动态参数如最大8nC的栅极电荷(Qg)和331pF的输入电容(Ciss),平衡了开关速度与驱动需求。宽工作结温范围(-55°C至150°C)和31W的功率耗散能力,确保了其在多种环境下的可靠性与散热性能。

基本参数:
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