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AOTF11S65L 是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和11A（Tc）连续漏极电流，为功率转换电路提供了坚实的电压与电流处理基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动下，导通电阻最大值为399毫欧（@5.5A），有效降低了通态损耗。同时，最大13.2nC（@10V）的栅极电荷有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性共同提升了系统效率，并使其适用于对开关性能有较高要求的场景。

此外，器件支持±30V的栅源电压，拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并结合TO-220封装良好的散热能力，确保了在工业电源、电机驱动、UPS等应用中的高可靠性和稳定性。

• 型号:AOTF11S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF11S65L，AOS产品一站式供应商。