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AOTF4T60P是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数针对中高压开关应用进行了优化，具备600V的高漏源电压耐受能力和4A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其平衡的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现良好，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容参数有利于实现快速开关，减少开关过程中的能量损失，从而提升整体电源系统的转换效率。其宽泛的工作结温范围也确保了在各类环境下的稳定运行。

• 型号:AOTF4T60P
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:522 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF4T60P，AOS产品一站式供应商。