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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT12N60FDL是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至650毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为50nC，优化了开关性能，有助于提升系统效率并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。
基本参数：
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