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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6522_002是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力，在Vgs=10V、Id=20A条件下，Rds(On)最大值仅为0.95毫欧，可显著降低传导损耗。器件额定漏源电压为25V，连续漏极电流在Tc条件下高达200A，具备强大的功率输出潜力。
该器件设计用于高频高效开关应用，其栅极电荷（Qg）最大值控制在145nC @ 10V，有助于实现快速的开关切换并降低动态损耗。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与高达83W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为高密度电源转换和电机驱动等应用的理想选择。
基本参数：
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