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AOTF9N90是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压、高可靠性应用而设计。其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和9A（Tc）的连续漏极电流，提供了强大的功率处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.3欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为58nC，支持快速开关，有利于提升系统效率。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应苛刻的工业环境。

• 型号:AOTF9N90
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF9N90，AOS产品一站式供应商。