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零件图片（仅供参考）
AOTF9N90
规格参数

AOTF9N90是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压、高可靠性应用而设计。其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和9A（Tc）的连续漏极电流，提供了强大的功率处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.3欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为58nC，支持快速开关，有利于提升系统效率。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应苛刻的工业环境。

  • 制造商产品型号：AOTF9N90
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：900V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：58nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2560pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF9N90
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF9N90的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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