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零件图片（仅供参考）
AON6362
规格参数

AON6362 是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为5.2毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度条件下可支持高达60A的连续漏极电流，并具备31W的最大功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热性能。同时，其13nC的低栅极电荷和820pF的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于实现高频、紧凑的电源设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号：AON6362
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），31W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6362
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6362的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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