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AOTF454L 零件图片(仅供参考)

AOTF454L
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AOTF454L 规格参数

AOTF454L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心参数包括150V的漏源电压(Vdss)以及在壳温(Tc)下达13A的连续漏极电流能力,为其在中等功率应用中处理高电压和高电流提供了坚实基础。

其关键性能优势体现在极低的导通损耗与高效的开关特性上。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(on))最大值仅为94毫欧 @ 10A,有效降低了导通状态下的功率损耗。同时,最大20nC @ 10V的低栅极电荷(Qg)显著减少了开关过程中的能量损失,有利于提升系统效率并支持更高频率的开关操作。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。

  • 型号:AOTF454L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 3A/13A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),13A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):94 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):985 pF @ 75 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),41W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
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AOTF454L 基本参数:

  • 电子零件型号:AOTF454L
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 150V 3A/13A TO220-3F
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOTF454L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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