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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD3N40是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括400V的漏源电压（Vdss）和2.6A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的核心优势在于其优化的性能组合：导通电阻（Rds(on)）低至3.1欧姆（@10V，1A），配合极低的栅极电荷（Qg，最大值5.1nC）和输入电容（Ciss）。这一特性组合确保了器件在导通状态下的损耗最小化，同时实现了快速、高效的开关切换，特别适用于对效率有严格要求的高频开关电源设计。
基本参数：
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