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AON6508是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率功率转换应用而优化。其核心特性包括30V的漏源电压额定值，以及在25°C管壳温度下高达32A的连续电流处理能力。

该器件的突出优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下典型值仅为3.2毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其低至49nC的栅极电荷和2.2V的最大阈值电压，确保了快速开关性能和简便的驱动需求，有助于提升整体系统能效和功率密度。

• 型号:AON6508
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2010 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6508，AOS产品一站式供应商。