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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONX38168是AOS公司XSPairFET系列中的一款25V双路非对称N沟道MOSFET阵列。该器件在一个8-PowerVDFN封装内集成了两个经过参数优化的MOSFET，其中一个侧重于极低的导通电阻（0.8mΩ @20A, 10V），另一个则拥有更低的栅极电荷（24nC @10V），这种独特的非对称配对旨在分别优化电源拓扑中高侧和低侧开关的性能。
其设计显著降低了寄生参数，支持高达85A (Tc)的连续漏极电流和69W (Tc)的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为空间受限的高效率、高功率密度应用的理想选择，例如服务器POL、显卡VRM和便携设备的电源管理。
基本参数：
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