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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD2916是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心电气参数包括100V的漏源电压(Vdss)和高达25A(Tc)的连续漏极电流能力,为设计提供了坚实的电压与电流裕量。
该器件的显著特点是其优异的导通性能,在10V Vgs驱动下,导通电阻(Rds(on))最大值低至34毫欧,这能有效降低导通状态下的功率损耗,提升整体系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为20nC,有助于实现快速的开关切换并降低动态损耗。
凭借宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C结温)和良好的热性能(Tc下50W最大功耗),AOD2916能够满足要求高可靠性和高效率的各种中功率开关应用需求。

基本参数:
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