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零件图片(仅供参考)
AOTF600A70FL
规格参数

AOTF600A70FL是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能aMOS5产品系列。该器件设计用于高压开关应用,其核心特性包括700V的漏源电压(Vdss)和8.5A的连续漏极电流(Id)能力。

该MOSFET的关键优势在于其优异的导通性能与开关效率的平衡。它在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))典型值低至600mΩ,同时栅极电荷(Qg)最大值仅为14.5nC。这些参数共同作用,旨在实现更低的传导损耗和开关损耗,从而提升整体电源转换效率。器件采用TO-220F通孔封装,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于各类严苛的工业与消费电子环境。

  • 制造商产品型号:AOTF600A70FL
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220F
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:aMOS5
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8.5A(Tj)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):26W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220F
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOTF600A70FL
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220F
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF600A70FL的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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