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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS21357是AOS推出的一款30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为7.8毫欧，能有效降低传导损耗，提升系统能效。
该器件具备高电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达36A，并支持高达48W的功耗，结合裸露焊盘设计，散热性能优异。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关，且驱动电压与标准逻辑电平兼容，便于电路设计。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在工业及汽车等严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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