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AONS21357是AOS推出的一款30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为7.8毫欧，能有效降低传导损耗，提升系统能效。

该器件具备高电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达36A，并支持高达48W的功耗，结合裸露焊盘设计，散热性能优异。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关，且驱动电压与标准逻辑电平兼容，便于电路设计。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在工业及汽车等严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AONS21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/36A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS21357，AOS产品一站式供应商。