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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTS21319C是AOS推出的一款采用6-TSOP封装的P沟道功率MOSFET。其核心优势在于优异的导通性能，在10V Vgs下导通电阻低至100mΩ，可支持高达2.7A的连续漏极电流，有效降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备30V的漏源电压额定值和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在低压电源和工业环境下的稳定可靠性。其低栅极电荷和输入电容特性优化了开关速度，使其成为空间受限且对效率有要求的开关电源、负载管理和电机控制等应用的理想选择。
基本参数：
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