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AO4476AL_102是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合，在10V栅极驱动下，导通电阻低至7.7毫欧（@15A），能有效降低导通损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压30V，连续漏极电流15A，栅极电荷（Qg）最大仅24nC，支持快速的开关切换，适用于高频开关应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和±20V的栅源电压容限，确保了其在各种严苛环境下的可靠性与驱动兼容性。

• 制造商产品型号：AO4476AL_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4476AL_102，AOS产品一站式供应商。