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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF12N30是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气参数包括300V的漏源电压（Vdss）和11.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、6A Id条件下低至420毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，最大16nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低开关损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。
基本参数：
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