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AOTF12N30是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气参数包括300V的漏源电压（Vdss）和11.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、6A Id条件下低至420毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，最大16nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低开关损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。

• 型号:AOTF12N30
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:36W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF12N30，AOS产品一站式供应商。