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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT2618L 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，专为要求高效率与高可靠性的中压、大电流开关应用而设计。其核心优势在于优异的导通与开关特性组合：60V 的漏源电压（Vdss）提供足够的耐压裕度；在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 19 毫欧 @ 20A，有效降低了传导损耗。
同时，器件具备低至 20nC（@10V）的栅极电荷（Qg）和 2.5V（最大值）的阈值电压（Vgs(th)），这确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统频率与整体能效。其壳温（Tc）下连续漏极电流额定值高达 23A，结合 41.5W（Tc）的功率耗散能力及 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围，保证了其在严苛环境下的稳定运行与长寿命。
基本参数：
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