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AOT2618L 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，专为要求高效率与高可靠性的中压、大电流开关应用而设计。其核心优势在于优异的导通与开关特性组合：60V 的漏源电压（Vdss）提供足够的耐压裕度；在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 19 毫欧 @ 20A，有效降低了传导损耗。

同时，器件具备低至 20nC（@10V）的栅极电荷（Qg）和 2.5V（最大值）的阈值电压（Vgs(th)），这确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统频率与整体能效。其壳温（Tc）下连续漏极电流额定值高达 23A，结合 41.5W（Tc）的功率耗散能力及 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围，保证了其在严苛环境下的稳定运行与长寿命。

• 型号:AOT2618L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），41.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT2618L，AOS产品一站式供应商。