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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7522E是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（4毫欧 @ 10V，20A）与低栅极电荷（45nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗，从而提升系统整体效率。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在Tc条件下可达34A，并支持4.5V至10V的标准栅极驱动电压，兼容性良好。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与31W（Tc）的功率耗散能力，使其能够胜任高可靠性要求的应用场景，如服务器电源、通信设备DC-DC转换及各类负载开关。
基本参数：
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